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变压器辅助缓冲器
变压器辅助缓冲器图中的电路可以显著减小甚至消除 RCD 缓冲器的漏感尖峰 ，而且不需要增大电（缓冲电容的增加会导致缓冲器电阻损耗的增加） 。www.kiaic.com/article/detail/209.html 2018-03-29
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全桥拓扑基本工作原理
变换器最主要的优点是 ，其初级施加的是幅值方波电压，而非半桥变换器的士Vc1c / 2 ，但其开关管承受的关断电压却与半桥变换器相同 ，等于最大输入直流电压 。所以 在开关管承受相同峰值电流和电压的 条件下 ，全桥变换器输出功率是半桥变换器的两倍 。当 然，...www.kiaic.com/article/detail/210.html 2018-03-29
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晶体管的驱动 MOSFET 管
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电 压，驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...www.kiaic.com/article/detail/211.html 2018-03-29
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线性电源的主要性能
开关电源发生过电压、过电流短路时，保护电路使开关电源停止工作以保护负载和电源本身。线性电源一般是将输出电压取样后与参考电压起送入比较电压放大器，此电压放大器的输出作为电压调整管的输入，用以控制调整管使其结电压随输入的变化而变化，从而调整其输出...www.kiaic.com/article/detail/214.html 2018-03-29
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导通瞬间基极驱动
导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2～3倍的基极尖峰电流供给基极。该尖峰的持续时间仅为最小导通时间的2%-3%.www.kiaic.com/article/detail/215.html 2018-03-29
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MOSFET栅极电压
MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ） 下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间 。在这个时间段内漏极电流保持不变 ，当栅极电压下降到 Vd1 时，MOS管开始关断 。所以漏极电流F降时间是栅极电压从 Vd1下降到阔...www.kiaic.com/article/detail/218.html 2018-03-29
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单片开关电源的基本原理
单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少，输出与输人间有电气隔离，能方便地实现多路输出，开关管驱动简单，所以该电源便采用了单端反激式拓扑结构。由图1-13可知，高频变压器初级绕组NP的极性与次级绕组反馈...www.kiaic.com/article/detail/220.html 2018-03-29
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双极型晶体管半导体
晶体管（是转换电阻transfer rcsistor的缩写）是一个多重结的半导体器件，通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益．双极型晶体管，或称双极型结晶体管，是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有...www.kiaic.com/article/detail/225.html 2018-03-29
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驱动双极型晶体管的电路
它们大多应用于低功 率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用最少的元器件获得反向基极电压和反向基极电流，或者在关断和导通的过相巾将基极和发射极短路：②在主电路电流最大的时候，正向基极电流足够驱动卢值小的晶体管 ，同时不会在主电路电...www.kiaic.com/article/detail/212.html 2018-03-29
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双极型晶体管的直流增益曲线
MOSFET 管还有N个方法 ，就是设它的最大结点温度一一比如说可以将其设为 100℃。然后假设一个合理的较低的 MOSFET 管结点到外壳的温升 （ 这样就小需里太低的外 壳散热温度 ，因为器件外壳温度比结点温低的越多 ，需要的散热器越大） 。www.kiaic.com/article/detail/217.html 2018-03-29
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线性电源的稳压电源
线性电源的动态响应非常快，稳压性能好，只可惜其功率转换效率太低。要想提高效率，就必须使图 1-2中的功率调整器件（即调整管）处于开关上作状态，再对图1-2所示电路相应地稍加改变即成为开关型稳压电源。转变后的降压型开关电源原理图如图1-8所示。调整管作为...www.kiaic.com/article/detail/219.html 2018-03-29
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CMOS,CMOS集成电路闩锁效应措施详解！
在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，以便在衬底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的掺杂种类与周围衬底不同．阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱．阱技术的详细内容将于第14章中讨论．图6. 31为使用p阱技术制作...www.kiaic.com/article/detail/221.html 2018-03-29
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MOSFET基本结构
由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS器件的输入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的应用相当引人注目，因为高输入阻抗的关系，栅极漏电流非常低，因此功率MOSFET不必像使用双极型功率器件一样，需要复杂的输入驱动电路．此外，功率MOSFET的...www.kiaic.com/article/detail/222.html 2018-03-29
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MOS管半导体器件
MOS二极管在半导体器件在物理中占有极其重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最有用的器件之一．在实际应用中．它是先进集成电路中最重要的MOSFFT器件的枢纽．在集成电路中．MOS二极管亦可作为一储存电容器，并且是电荷耦合器件的基本组成部分，此节中我们首...www.kiaic.com/article/detail/223.html 2018-03-29